إقتبس

عما تبحث؟

منتجات
منزل، بيت

منتجات الكريستال

Semiconductor crystal

صنع وفقا لطلب الزبون السيليكون Si رقاقة الصانع الركيزة البلورية المفردة من الصين

Si CRYSTAL
Si CRYSTAL Si CRYSTAL Si CRYSTAL Si CRYSTAL Si CRYSTAL

صنع وفقا لطلب الزبون السيليكون Si رقاقة الصانع الركيزة البلورية المفردة من الصين

يستخدم Si : المستخدم كمواد أشباه موصلات ، وترانزستورات عالية الطاقة ، ومعدلات ، وخلايا شمسية ، وما إلى ذلك.

  • رقم الصنف:

    GS-C029

  • دفع:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • أصل المنتج:

    Anhui, China

  • اقصى حجم:

    Dia200mm

  • اتجاه:

    <100>、<110>、<111>

  • رزمة:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
التحقيق الآن

  • تفاصيل المنتج

  • عملية تدفق

  • التعبئة والتغليف

  • وسائل النقل

  • التعليمات

Q:هل أنت شركة تجارية أو مصنع؟
نحن مصنع.
Q: ما هي مدة التسليم؟
عموما 3-5 أيام إذا كانت البضاعة في المخزون.
أو 7-10 أيام إذا لم تكن البضاعة في المخزن ، يكون ذلك حسب الكمية.
Q: هل تقدمون عينات؟ هل هو مجاني أم إضافي؟
نعم ، يمكننا تقديم العينة مجانًا ولكن لا ندفع تكلفة الشحن.
Q: ما هي شروط الدفع الخاصة بك؟
الدفع <= 5000 دولار أمريكي ، 100٪ مقدمًا.
Paymen> = 5000 دولار أمريكي ، 80٪ T / T مقدمًا ، الرصيد قبل الشحن.
ترك رسالة
إذا كانت أنت مهتم بمنتجاتنا وتريد معرفة المزيد من التفاصيل، يرجى ترك رسالة هنا، وسوف نقوم بالرد عليك حالما نحن CAN.
منتجات ذات صله
GaN substrate
2 " بوصة غاليوم نيتريد غان الركيزة واحدة الكريستال
الركيزة HVPE هو: homoepitaxy، غان على غان التجانس: جودة عالية، تكلفة عالية، تقنية صعبة (خلع 103-106 / CM2)
GaSb CRYSTAL
تصنيع الركيزة البلورية الأحادية GaSb من Gallium antimonide حسب الطلب من الصين
يمكن استخدام GaSb كمادة ركيزة لإعداد الليزر وأجهزة الكشف المناسبة لبعض عمليات نقل الألياف بالأشعة تحت الحمراء.
GaN SINGLE CRYSTAL
غاليوم نيتريد جان الركيزة واحدة كريستال
الركيزة HVPE هو: homoepitaxy، غان على غان التجانس: جودة عالية، تكلفة عالية، تقنية صعبة (خلع 103-106 / CM2)
SiC CRYSTAL
صنع حسب الطلب كربيد السيليكون SiC الركيزة البلورية المفردة 4H-N المصنعة من الصين
تتميز بلورة SiC المفردة بالعديد من الخصائص الممتازة ، مثل الموصلية الحرارية العالية ، وحركة الإلكترون المشبعة العالية ، والمقاومة القوية لانهيار الجهد.إنها مناسبة لإعداد الأجهزة الإلكترونية عالية التردد وعالية الطاقة ودرجة الحرارة العالية والمقاومة للإشعاع.
InAs CRYSTAL
زرنيخيد الإنديوم المصنوع حسب الطلب InAs مصنع ركيزة بلورية مفردة من الصين
InAs يمكن أن تنمو الركيزة البلورية المفردة InAsSb / In-AsPSb و InNAsSb وغيرها من المواد غير المتجانسة لإنتاج أجهزة باعثة للضوء بالأشعة تحت الحمراء بأطوال موجية من 2-14 ميكرومتر.
InP CRYSTAL
مصنع الركيزة البلورية أحادية فوسفيد الإنديوم المصنوع حسب الطلب من الصين
تعتبر المواد البلورية المفردة InP هي المواد الأساسية لإنتاج الليزر القائم على InP الثنائيات (LD)
GaAs CRYSTAL
مصنع الركيزة البلورية المفردة GaAs من جاليوم أرسينيد حسب الطلب من الصين
يمكن تخصيصها وفقًا لاحتياجات العملاء والاتجاه الخاص وحجم الركيزة
Ge CRYSTAL
مصنع الركيزة البلورية أحادية الجرمانيوم المصنوعة حسب الطلب من الصين
يمكن تخصيصها وفقًا لاحتياجات العملاء والاتجاه الخاص وحجم الركيزة
معلومات عنا
anhui Haibei استيراد & شركة التصدير المحدودة، تأسست في عام 2006، وتقع في خفى مدينة، عاصمة انهوى محافظة. لدينا تتخصص الأعمال التجارية في إنتاج واستيراد & تصدير تجارة النكهة والعطور وكذلك المعدات والملحقات الميكانيكية، والتي تواجه الأسواق المحلية والخارج
الإشتراك
يرجى قراءة على، البقاء نشر، اشترك، ونرحب بكم أن تخبرنا بما تحظى به.
  • Facebook
  • Linkedin
  • Youtube
  • Pinterest
  • Twitter
حقوق النشر © 2024 ANHUI HAIBEI IMPORT & EXPORT CO., LTD.. كل الحقوق محفوظة.
دعم شبكة IPv6دعم شبكة IPv6
XML | سياسة خاصة
ترك رسالة
إذا كانت أنت مهتم بمنتجاتنا وتريد معرفة المزيد من التفاصيل، يرجى ترك رسالة هنا، وسوف نقوم بالرد عليك حالما نحن CAN.

منزل، بيت

منتجات

حول

اتصل